臺積電3奈米差點背鍋!最新爆料:i15發熱禍首是1零件


臺積電3奈米差點背鍋!最新爆料:i15發熱禍首是1零件
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蘋果iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的問題。(示意圖/路透社)

iPhone 15 Pro系列新機出現容易過熱的毛病,外界一度以爲是臺積電3奈米的問題,但蘋果官方上週末發聲明表示,主要是iOS 17系統的漏洞與第三方應用程式(APP)交互作用下所導致。此外,有業內人士爆料,罪魁禍首恐怕是規格升級的DRAM(動態隨機存取記憶體)造成運行龐大負擔。

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知名科技爆料者Revegnus在社羣軟體X(原名Twitter)上引述一位熟悉蘋果半導體業務的達人說法,「幾乎已經確定iPhone 15系列的DRAM是發燙的罪魁禍首,規格升級的DRAM爲了配合資料處理速度,消耗了更多電力,這個過程中就會產生熱。」

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Revegnus也提到,該名業內人士認爲,此問題可能會在一至兩個月內解決,並已經排除其他會引起過熱的可能性。而TechInsights先前拆解iPhone 15 Pro新機後發現,搭載的DRAM是美光最先進的D1β LPDDR5 DRAM晶片。

此前,南韓媒體將iPhone 15過熱原因指向臺積電3奈米制程,並提到此跡象可能是FinFET製程技術已經到達極限,而提早在3奈米轉進GAA製程的三星將有突破點,且如果市場對臺積電3奈米存疑,客戶可能會轉向或同時採用三星的產品,引起熱烈討論。

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